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SiA406DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.040
I D = 10. 8 A
0.034
10
0.02 8
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.022
T J = 125 °C
0.016
T J = 25 °C
0.1
0.010
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
2
4
6
8
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
30
25
20
15
10
5
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
100 μs
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1 s, 10 s
0.1
T A = 25 °C
DC
Single P u lse
BVDSS Limited
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 65361
S09-1924-Rev. A, 28-Sep-09
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